教育背景：

　　1978年9月-1980年7月　江西省高安市高安中学
　　1980年9月-1984年7月　中山大学物理系 本科
　　1984年9月-1985年7月　成都电子科技大学 研究生
　　1984年9月-1987年9月　电子工业部十三研究所 研究生
　　1990年9月-1993年7月　吉林大学电子工程系，博士生

任教/工作经历：

　　1987年9月1990年8月　电子工业部十三研究所 助理工程师
　　1993年9月-1995年12月 厦门大学物理系  讲师
　　1995年9月-1999年9月　厦门大学物理系  副教授
　　1999年10月-2001年8月 日本千叶大学工学部VBL实验室，副研究员；
　　2001年9月-2003年12月 厦门大学物理系  副教授
　　2003年12月-今  厦门大学物理系  教授 博导
　　另外1994和1997年二次到　白俄罗斯科学院进行合作研究

研究：

　　本人长期从事InP基材料和器件的研究工作和GaN基材料器件研究10年。本人非常熟悉这二种材料的生长和器件工艺，有极强的半导体材料、器件及相关领域背景知识。
　　本人的研究经验总结如下：
　　1。外延生长：本人利用液相外延（LPE）和MOCVD生长InGaAs (p)/InP 和GaN多年，并曾安装一台MOCVD设备。
　　2.测量表征技术：本人熟悉和操作 X射线衍射（HR-XRD）,原子力显微镜（ AFM），霍尔（ Hall）系统，光荧光（ PL）、场发射电子显微镜（ FE-SEM），椭圆偏振仪、电化学CV等等。
　　3.器件工艺：本人非常熟悉包括光刻 the operation of an e-gun evaporator, RTA system, RIE, PECVD and wires bonding等半导体器件工艺和光纤和光电器件的。
　　4.完成器件：
　　本人设计和制备InP、GaAs和GaN等多种III-V半导体器件；
　　InGaN/GaN 发光二极管（LED） ；
　　1.48m InGaAs/InP 应变量子阱激光器（ LD）；
　　InGaAs(P)/InP 异质结光电晶体管 (HPT)；
　　InGaAs(P)/InP PIN 光电探测器 (PD)。
　　5.理论：利用 K. P. 理论计算InGaAs/InP应变量子阱的能带和性能
　　6.发表学术论文近100篇，申请专利10多项
　　7.课题：
　　“863”项目主要参加者完成：InGaAs/InP应变量子阱激光器的研究
　　曾作为下面二个国家“七.五”功关项目负责人：a. 高速 InGaAs/InP PIN 光电探测器；b. InGaAs/InP PIN 光电探测器的可靠性分析
　　省自然科学基金负责人完成：实用化InGaAs/InP PIN光电二极管的研究
　　省自然科学基金负责人完成：高速PIN-FET单片集成电路材料的研究
　　福建省青年重点基金负责人完成：GaN蓝绿光材料MOCVD生长技术
　　国家自然科学基金负责人完成：无应变InAlGaN/GaN PIN 紫外光探测器研究
　　省自然科学基金负责人完成：高速PIN-FET单片集成电路材料的研究
　　省自然科学基金负责人完成：GaN 基PIN紫外光电探测器的研制
　　863计划负责人完成：GaN基材料P型低接触电阻技术及产业化研究
　　国家科技攻关计划第二负责人完成：功率型高亮度发光二极管及封装产业化关键技术
　　省科技项目负责人完成：发光二极管制备关键技术研究
　　省科技对接项目第二负责人完成：InP PIN光电探测器产业化研究
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　　教学情况：
　　指导多名硕士研究生。
　　主讲《半导体激光器物理》、《信息光电材料及其应用》、《现代实验方法》、《半导体光电性质》、《半导体激光器原理》、《现代半导体器件物理》，《量子电子学》、《激光物理》《发光物理专题》和《文献专题》研究生课程。
　　主讲《半导体激光器原理》和《C语言》《计算物理》、《半导体器件物理》《色度学》等本科生课程，上机辅导《国际网络上的八种具体操作方法》。